輸出接燈泡來(lái)測(cè)試軟啟動(dòng)，的好壞高壓軟啟動(dòng)柜，啟動(dòng)時(shí)報(bào)電源缺相， 軟啟動(dòng)的高壓主板有問題。軟啟動(dòng)內(nèi)部功率組件的 可控硅擊穿，或者觸發(fā)光釬板有問題，可以通過做實(shí)驗(yàn)。

 

高壓軟啟動(dòng)柜，啟動(dòng)時(shí)報(bào)電源缺相。

軟啟動(dòng)的高壓主板有問題。

軟啟動(dòng)內(nèi)部功率組件的，可控硅擊穿，或者觸發(fā)光釬板有問題。

可以通過做實(shí)驗(yàn)，輸出接燈泡來(lái)測(cè)試軟啟動(dòng)的好壞。

 

固態(tài)軟啟動(dòng)一般是限制啟動(dòng)電流，讓電流不至于超過額定電流太多。

高壓電機(jī)起動(dòng)柜，在定子回路串入正反并聯(lián)的控硅，規(guī)矩電動(dòng)機(jī)負(fù)載狀況，通過改變可控硅的移相角，（導(dǎo)通角）將電動(dòng)機(jī)的起動(dòng)，電流控制在設(shè)定值上，實(shí)現(xiàn)電動(dòng)機(jī)的軟起動(dòng)。

主要性能特點(diǎn) ，采用微型計(jì)算機(jī)技術(shù)，性能可靠穩(wěn)定， 起動(dòng)電流、起動(dòng)時(shí)間可調(diào)整， 連續(xù)起動(dòng)，建議每小時(shí)十次以下， 結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，占地面積小，性價(jià)比高 。

 

通過調(diào)整晶閘管的，導(dǎo)通角來(lái)實(shí)現(xiàn)降壓?jiǎn)?dòng)的。 

啟動(dòng)開始時(shí)，觸發(fā)角大，導(dǎo)通角小，這樣就給電機(jī)降壓了。隨著電機(jī)的轉(zhuǎn)速逐漸提高，觸發(fā)角逐漸變小，導(dǎo)通角逐漸加大，電機(jī)電壓逐漸增高。當(dāng)啟動(dòng)結(jié)束時(shí)切除啟動(dòng)裝置，電機(jī)進(jìn)入全電壓運(yùn)轉(zhuǎn)。

目前市面上在，兩種原理的軟起動(dòng)器，一是可控硅的降壓限流啟動(dòng)，其實(shí)質(zhì)是降壓起動(dòng)，一種是串入一個(gè)電抗值可調(diào)的電抗器，通過不斷調(diào)整串入電抗器的阻值，限制啟動(dòng)電流。

 

軟啟動(dòng)內(nèi)部就是，可控硅的降壓限流啟動(dòng)，啟動(dòng)后切入旁路接觸器運(yùn)行，降低啟動(dòng)電流。

 

水阻的能便宜點(diǎn)。

固態(tài)的也就那價(jià)了。

6-10萬(wàn)，根據(jù)配置而定價(jià)格。

 

　　軟啟動(dòng)器只是改變電源電壓，相當(dāng)于降壓起動(dòng)器。變頻器要比軟啟動(dòng)器復(fù)雜得多，價(jià)格也貴得多。變頻器也有軟啟動(dòng)功能，是通過改變電源頻率實(shí)現(xiàn)。　　高壓?jiǎn)?dòng)器和，低壓?jiǎn)?dòng)器的區(qū)別

　　軟啟動(dòng)器主回路采用，晶閘管，通過逐步改變晶閘管的，導(dǎo)通角來(lái)抬升電壓，完成啟動(dòng)過程，這是軟啟動(dòng)器的基本原理。在低壓軟啟動(dòng)器市場(chǎng)，產(chǎn)品繁多，但是高壓軟啟動(dòng)器產(chǎn)品還是比較少。高壓軟啟動(dòng)器與低壓軟啟動(dòng)器，基本原理一樣，但是高壓軟啟動(dòng)器與低壓軟啟動(dòng)器相比，有些地方存在著其特殊性。

　　1、高壓軟啟動(dòng)器在，高壓環(huán)境下工作，各種電氣元器件的絕緣性能一定要好，電子芯片的抗干擾能力要強(qiáng)。高壓軟起動(dòng)器組成電氣柜時(shí)，電氣元器件的布局以及與高壓軟啟動(dòng)器，與其它電氣設(shè)備的連接也是非常重要的。

　　2、高壓軟啟動(dòng)器必須，有一個(gè)高性能的控制核心，能對(duì)信號(hào)進(jìn)行及時(shí)和快速地處理。因此這個(gè)控制核心一般采用，高性能的DSP芯片，而不是低壓軟啟動(dòng)器，的普通單片機(jī)芯。低壓軟啟動(dòng)器主回路由三組反并聯(lián)，的晶閘管組成。而在高壓軟啟動(dòng)器中，由于單只高壓晶閘管的耐壓能力不夠，所以必須由多個(gè)，高壓晶閘管串聯(lián)進(jìn)行分壓。但是每個(gè)晶閘管的性能參數(shù)，沒有完全一致。晶閘管參數(shù)的不一致，會(huì)導(dǎo)致晶閘管開通時(shí)間不一致，從而導(dǎo)致晶閘管的損壞。因此在晶閘管的選配上，必須保證每一相的晶閘管參數(shù)盡可能地一致，并且每一相晶閘管的RC濾波電路的元件參數(shù)盡可能一致。